IS43LR16160F-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43LR16160F-6BLI |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Supplier Device-Gehäuse | 60-TFBGA (8x10) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 256Mbit |
Speicherorganisation | 16M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 166 MHz |
Grundproduktnummer | IS43LR16160 |
Zugriffszeit | 5.5 ns |
IS43LR16160F-6BLI Einzelheiten PDF [English] | IS43LR16160F-6BLI PDF - EN.pdf |
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 1
IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16,
256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16,
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2
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IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
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IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
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256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16,
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS43LR16160F-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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